1803~2014，LED燈編年史
文章來(lái)源:恒光電器
發(fā)布時(shí)間:2013-12-06
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LED（全稱(chēng)：Light-Emitting Diode,，發(fā)光二極管） 是一種能發(fā)光的半導(dǎo)體電子元件,。這種電子元件早期只能發(fā)出低光度的紅光，ROSH認(rèn)證,，之后發(fā)展出其他單色光的版本,，時(shí)至今日能發(fā)出的光已遍及可見(jiàn)光、紅外線及紫外線,，光度也提高到相當(dāng)?shù)墓舛�,。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，LED已被廣泛的應(yīng)用于顯示器,、電視機(jī)采光裝飾和照明等領(lǐng)域,。在市場(chǎng)需求與技術(shù)進(jìn)步的推動(dòng)之下，LED經(jīng)歷了一段輝煌的歷史,。在此,，LEDinside小編與您共同回顧LED發(fā)展歷程。
1907年,，Henry Joseph Round發(fā)現(xiàn)作為研磨劑的碳化硅晶體（SiC）通電后可以發(fā)光的現(xiàn)象,。這種現(xiàn)象被發(fā)現(xiàn)之后，人們就對(duì)SiC和Ⅱ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體的礦物質(zhì)發(fā)光現(xiàn)象展開(kāi)研究,。
1936年,， led商業(yè)照明，George Destiau出版了一個(gè)關(guān)于硫化鋅粉未來(lái)發(fā)光的報(bào)告,。隨著研究的深入,，最終出現(xiàn)了“電致發(fā)光”這個(gè)術(shù)語(yǔ)。
1952年,，節(jié)能與環(huán)保,，人工合成的Ge、Si 晶體的pn結(jié)發(fā)光誕生,。1954年,，LED天花燈，開(kāi)始制作,、研究GaP單晶和GaAs單晶的性能,。
1955年，美國(guó)無(wú)線電公司（Radio Corporation of America）的魯賓布朗石泰（Rubin Braunstein）首次發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）及其他半導(dǎo)體合金的紅外放射作用,。
1962年,，酒店led照明，GE,、Monsanto,、IBM 的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)出了發(fā)紅光的磷砷化鎵（GaAsP）半導(dǎo)體化合物,，從此可見(jiàn)發(fā)光二極管步入了商業(yè)化的發(fā)展歷程。
1965年,，全球第一款商業(yè)化發(fā)光二級(jí)管誕生,，它是用鍺材料做成的可發(fā)出紅外光的LED，當(dāng)時(shí)的單價(jià)約為45美元,。其后不久,，Monsanto和惠普公司推出了用GaAsp材料制作的商業(yè)化紅色LED。這種LED的效率大約為0.1 lm/w,，LED球泡燈,，比一般的60-100w白織燈的15 lm/w要低100多倍。
1968年,，LED的研發(fā)取得了突破性進(jìn)展,，利用氮摻雜工藝使GaAsP器件的效率達(dá)到了1 lm/w，并且能夠發(fā)出紅光,、橙光和黃光。1971,，業(yè)界又推出了具有相同效率的GaP綠色芯片LED,。
1993年，在日本日亞化工（Nichia）工作的中村修二成功把氮滲入,，發(fā)明了基于寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）和銦氮化稼（InGaN）的具有商業(yè)應(yīng)用價(jià)值的藍(lán)光LED,，這類(lèi)LED在1990年代后期得到廣泛應(yīng)用。
1997年,，商業(yè)照明,，Schlotter和Nakamura等人先后發(fā)明了用藍(lán)光管芯加黃光熒光粉封裝成白光LED的技術(shù)。
繼氮化鎵LED之后,，科學(xué)界隨即又制造出能產(chǎn)生高強(qiáng)度綠光和藍(lán)光的銦氮鎵LED,。超亮度藍(lán)光芯片是白光LED的核心，在這個(gè)發(fā)光芯片上抹上熒光粉,，然后熒光粉通過(guò)吸收來(lái)自芯片的藍(lán)色光源再轉(zhuǎn)化為白光,。利用這種技術(shù)能制造出任何可見(jiàn)顏色的光。
2001年,，Kafmann等人用UV LED激發(fā)三基色熒光粉得到白光LED,。
2002年，在市場(chǎng)上開(kāi)始有5W的LED的出現(xiàn),，而其效率大約是每瓦18至22流明,。
2003年9月，CREE, Inc.公司展示了其新款的藍(lán)光LED,，在20mW下效率達(dá)35%,。他們亦制造了一款達(dá)65 lm/W（流明每瓦）的白光LED商品,，這是當(dāng)時(shí)市場(chǎng)上最亮的白光LED。2005年他們展示了一款白光LED原型,，在350mW下,，創(chuàng)下了每瓦70 lm 的記錄性效率。
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