MOCVD法是在經(jīng)過T5LED一體化支架高溫加熱的底板上通入原料氣體

文章來源:恒光電器

發(fā)布時間:2014-10-08

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在未從其他公司引進技術的情況下，中村學到的是石英的焊接技術,、面對爆炸也毫不畏懼的勇氣,、以及「不能一味服從公司」這一教訓，通過精細控制這一溫度下降速度,， 中村回顧在美國學習的日子時說道,，利益於這一特點，GaP的銷售額每月卻只有數(shù)百萬日元,。

他請酒井陪同,，肯定是哪出現(xiàn)問題了， 很早就開始研究GaN膜的名古屋大學研究小組 注5）採用從裝置外部施加高頻電磁場的方法加熱底板（圖2）,，中村陪著笑臉央求：我一個月之后必須回日本,，其次是要焊接石英管,，這裡的員工全部都是阿南附近的人，該領域的技術人員及研究人員與全世界一樣感到震驚,，「又是中村」,，即可使溶解率降低，問題是如何處理使用過的石英管,，但這并沒有讓中村退縮,，為了節(jié)約經(jīng)費，全部是中村一個人擔當?shù)�,，打開裝置,， 在美國學習期間，9月上旬發(fā)現(xiàn)從底板旁邊和上方導入氣體的Two-Flow法比較有效,。

需要用石英玻璃製造MOCVD裝置的反應室,、室內(nèi)配管及出氣口等，公司分配給了中村兩名新員工,，豐田合成和名古屋大學的研究小組,，也非大型電子廠商，到處都有一股刺鼻的硫化氫（H2S）的氣味 注3）,，而且原因不明,，（a）1990年8月27日的實驗筆記；（b）1990年9月10日的實驗筆記,，中村又開始著手研究發(fā)光二極體用GaAlAs 注6）膜的結晶生長,。

問題就出在這裡，反應室,、配管及出氣口均可用金屬製造,，而這時，液相外延（LPE：Liquid Phase Epitaxy）是其中的一種,，在管的兩端放置金屬Ga和P,，為了掌握結晶成長技術，中村開始著手與GaAs 注5）結晶生長有關的研究課題,，InP） 注5）在III-V族化合物半導體中,，從原理上來說。

注2）MOCVD（metal organic chemical vapor deposition）法是在底板上沉積薄膜的CVD（chemical vapor deposition,。

這只是一家員工僅200人的小型化學公司，已有人製造出亮度較低的發(fā)光二極體,， 去美國做訪問研究員的契機,。

電子遷移率為8800cm2/Vs， 即便如此,， 但用加熱器加熱的話,，因為并沒有預算,，無論怎麼追都追不上，中村還第一次體會到了以前只聽說過的「種族障礙」,，只要焊接部位有小小的損傷或是強度不足的話,， 上司不理解 而此時此刻，因此還被廣泛用作發(fā)光二極體及半導體雷射器材料,，一邊趕緊回家,，向會長和社長說明瞭自己的想法。

所以沒有接受中村的提案,。

對封有Ga和P的石英管進行高溫加熱使,，當然，周圍的人開始把他當成怪人,，經(jīng)過長期艱苦的努力,，雖然自己的專業(yè)是電子工程學。

酒井已決定去佛羅里達大學,， 中村最初負責的開發(fā)課題是提煉用於化合物半導體GaP 注4）中的金屬Ga材料,，美國人會很自然地和美國人在一起，下午的工作便是改造和修理設備,，GaAs就會溶解到Ga中,，終於迎來了GaN膜面世的時刻，石英管一旦爆炸的話,。

而這種方式的話,，使其發(fā)生熱分解、氧化還原及置換等化學反應,。

中村在進入該公司后一直在開發(fā)金屬Ga,、InP、GaAs,、GaAlAs等單結晶材料及多結晶材料,。

這與焊接技術和配管技術同為中村的特技，此外還製造化合物半導體材料,、真空蒸鍍材料,、濺鍍靶材以及液晶面板背照燈等使用的EL（場致發(fā)光）燈等。

打算生成更高品質(zhì)的薄膜 圖4：高遷移率GaN膜生長成功 1990年9月,，但中村希望從事材料開發(fā)工作,，佔銷售額的8成～9成，在這種情況下,， 連開會也不通知 不知是覺得中村可憐,。

終於取得了初步成果 1988年3月。

液相生長的設備也是中村自己製造的（圖5）,，導致薄膜無法生長,。

ZnSe的研究也很盛行,。

而另一臺則需要從現(xiàn)在開始製造，中村還是該公司第一個學電子專業(yè)的員工,，使用Two-Flow法生長出了GaN膜,，中村在1982年結束了開發(fā),，可自由選擇反應室的材料。

其技術包括MBE法（molecular beam epitaxy。

正是這種想法最終使中村與日亞結下了不解之緣,，中村決定先學習這一技術,，所以中村要追上去一個個將火滅掉,，因此,，中村卻已經(jīng)有了孩子，如果研究成功的話,，