SiC基片結(jié)晶質(zhì)量提高 SiC基片市場科銳占有較高份額

文章來源:恒光電器

發(fā)布時(shí)間:2013-11-29

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　　制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圓）的品質(zhì)在不斷提升,。不僅是目前主流的直徑為4英寸（100mm）的產(chǎn)品,，6英寸（150mm）產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。

　　美國科銳（CREE）在SiC基片市場上占有較高份額,，從該公司在SiC國際學(xué)會“ICSCRM 2013”（2013年9月29日～10月4日于日本宮崎縣舉行）上發(fā)表的內(nèi)容來看,，截至2013年,，LED燈管，功率元件用6英寸產(chǎn)品的微管密度在1個(gè)/cm2以下,，平均水平為0.5個(gè)/cm2左右,，口碑，較好時(shí)可達(dá)到0.01個(gè)/cm2,。據(jù)估算,，ROSH認(rèn)證，采用這種高品質(zhì)6英寸基片制作10mm見方的功率元件時(shí),，口碑,，合格率高達(dá)98.7％。

　　科銳以直徑為4英寸的基片為例,，企業(yè)資訊,，LED照明企業(yè)，展示了其基底面位錯(cuò)（BPD）的密度,。據(jù)科銳介紹,，4英寸基片的基底面位錯(cuò)密度為56個(gè)/cm2。在基片內(nèi)17％的范圍里,，基底面位錯(cuò)為0個(gè),，在78％的范圍里不到5個(gè)。

　　據(jù)悉,，在基底面位錯(cuò)密度為56個(gè)/cm2的4英寸基片上層疊厚度為60μm的外延層時(shí),，LED球泡燈,，基底面位錯(cuò)的密度會降至2個(gè)/cm2,。

　　另外，產(chǎn)業(yè)資訊,，質(zhì)量,，與原來相比，還可以減少功率元件用SiC基片的貫通螺旋位錯(cuò)（TSD）密度,。以前裸基片和外延基片（層疊外延層的基片）的貫通螺旋位錯(cuò)密度分別為955個(gè)/cm2和837個(gè)/cm2,，照明資質(zhì)，現(xiàn)在分降至447個(gè)/cm2和429個(gè)/cm2,，減少了約一半,。

　　不僅是功率元件用SiC基片，電工照明,，CE認(rèn)證,，科銳還在從事LED用和高頻元件用SiC基片業(yè)務(wù)。LED用基片方面,，6英寸產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷密度在2010年為8個(gè)/cm2,，車間照明,，到2013年已經(jīng)低于2個(gè)/cm2。

　　高頻元件用基片方面,，6英寸產(chǎn)品的微管密度目前為0.14個(gè)/cm2,。這個(gè)水平在制作7mm見方的高頻元件時(shí)可實(shí)現(xiàn)96.3％的成品率。

,，裝修照明,，ROSH認(rèn)證