硅襯底LED技術榮獲國家技術發(fā)明一等獎

文章來源:恒光電器

發(fā)布時間:2016-01-11

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　　1月8日，國家科學技術獎勵大會在北京人民大會堂隆重舉行,，國際資訊,，車間照明，辦公照明,，產業(yè)資訊,，由南昌大學,、晶能光電(江西)有限公司、中節(jié)能晶和照明有限公司共同完成的“硅襯底高光效氮化鎵基藍色發(fā)光二極管項目”榮獲國家技術發(fā)明一等獎,。項目主要完成人包括晶能光電聯(lián)合創(chuàng)始人,、南昌大學副校長江風益教授，晶能光電副總裁孫錢博士,，晶能光電聯(lián)合創(chuàng)始人,、CEO及晶和照明創(chuàng)始人王敏博士等人。

　　在半導體照明領域存在三條LED技術路線,，分別是藍寶石襯底,、碳化硅襯底和硅襯底LED技術路線。其中,，ROSH認證,，前兩條技術路線分別是以日本和美國為主發(fā)展起來的， led服裝照明,，藍寶石襯底技術的三位主要發(fā)明人獲得了2014年度諾貝爾物理學獎;碳化硅襯底LED技術的發(fā)明人獲得了2003年美國總統(tǒng)技術發(fā)明獎,。

　　據介紹，國家技術發(fā)明一等獎判定標準為：屬國內外首創(chuàng)的重大技術發(fā)明或創(chuàng)新,，技術經濟指標達到了同類技術領先水平,，且推動相關領域技術進步且已產生顯著的經濟或者社會效益。

　　硅襯底LED技術從南昌大學誕生,，晶能光電投巨資持續(xù)研發(fā)并產業(yè)化,，并經晶和照明等眾多企業(yè)應用推廣，綠色照明,，已經從實驗室走向市場,。此次硅襯底LED項目脫穎而出，成為2015年度唯一一個國家技術發(fā)明一等獎,，這是國家層面對該技術創(chuàng)新和應用的高度肯定,。

　　硅襯底具有良好的導熱性，且具有原材料成本低廉,，晶圓尺寸大等優(yōu)點,。在硅襯底上制備氮化鎵基LED一直是業(yè)界夢寐以求的事情。然而由于硅和氮化鎵這兩種材料巨大的晶格失配和熱失配導致的外延膜龜裂,、晶體質量差,，CCC認證，以及襯底不透明導致的出光效率低等問題長期未能解決,，致使業(yè)界普遍認為，在硅襯底上制備高光效氮化鎵基LED是不可能的,。

項目主要完成人之一——江風益教授

　　以江風益教授為首的研發(fā)團隊率先攻克這些世界性難題,，在南昌大學實驗室研發(fā)出具有原創(chuàng)知識產權的硅襯底LED技術,。2006年，該技術獲得金沙江等知名創(chuàng)投的A輪投資,，由江風益教授和王敏博士聯(lián)合創(chuàng)立晶能光電,，專注于硅襯底LED技術的產業(yè)化。

　　歷經十年艱苦,，后又陸續(xù)獲得新加坡淡馬錫牽頭的B輪融資,、國際金融公司(IFC)牽頭的C輪融資以及亞太資源牽頭的D輪融資支持;又在金沙江等投資人的共同努力下，引進趙漢民博士,、孫錢博士等多名優(yōu)秀海歸共同奮斗,，照明方案，晶能光電率先于全球成功實現(xiàn)硅襯底LED技術大規(guī)模產業(yè)化,。

　　2014年8月美國能源部《固態(tài)照明研究與發(fā)展制造藍圖 (Manufacturing Roadmap：Solid-State Lighting Research and Development)》報告中寫道：“晶能光電是硅襯底LED技術的最早實踐者,，恒光，并在 2012 年 6 月開始量產硅襯底氮化鎵LED芯片”,。這是國際上對晶能光電在硅襯底LED技術和產業(yè)化方面領跑的肯定,。

　　作為全球硅襯底LED技術的領導者，晶能光電用短短十年時間將一項實驗室技術發(fā)展成為全球第三條藍光LED技術路線,，照明資質,，完成全球硅襯底LED專利布局。目前,，圍繞該項目已申請專利330多項,，已授權專利147項，高質量,，其中授權國際專利47項,。這些專利將是構建中國LED產業(yè)知識產權池的基石，對我國的LED產業(yè)格局和產業(yè)安全將產生重大的影響,。

　　據晶能光電孫錢博士介紹,，硅襯底LED技術仍有巨大的發(fā)展空間，可望獲得大尺寸外延片,，以便結合集成電路6寸和8寸的裝備以及成熟的產線組織和管理經驗,，進行大規(guī)模自動化制造，從而提高生產效率,，技術資訊,，使LED產品綜合成本進一步大幅度降低，這或將影響全球LED行業(yè),，改變競爭格局,。

　　江風益教授進一步展望：“基于藍光LED加熒光粉的照明技術路線，產業(yè)資訊，還只是一種過渡性技術方案,。我們正努力攻關硅襯底黃光,、綠光LED技術，將使無需熒光粉的LED照明技術成為現(xiàn)實,�,！�

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