量產(chǎn)在即,？Micro LED歷史,、現(xiàn)況、原理制程及參與企業(yè)分析

文章來源:恒光電器

發(fā)布時(shí)間:2016-08-03

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　　近日,，TrendForce集邦科技旗下LED行業(yè)研究品牌LEDinside（LED在線）得知micro LED將于2018年量產(chǎn)的消息,。為了更全面的了解microLED的技術(shù)發(fā)展與市場(chǎng)潛力，在線君對(duì)microLED的歷史,、現(xiàn)況,、原理、制程及參與企業(yè)等多方面做了全面的梳理,。

　　歷史

　　說起Micro LED,，先得從顯示TFT-LCD背光模組應(yīng)用說起。在1990年代TFT-LCD開始蓬勃發(fā)展時(shí),，因LED具有高色彩飽和度,、省電、輕薄等特點(diǎn),，LED射燈,，部分廠商就利用LED做背光源。然而因成本過高,、散熱不佳,、光電效率低等因素，并未大量應(yīng)用于TFT-LCD產(chǎn)品中,。

　　直到2000年,，藍(lán)光LED芯片刺激熒光粉制成白光LED技術(shù)的制程、效能,、成本開始逐漸成熟,；當(dāng)進(jìn)入2008年，商業(yè)照明燈具,，白光LED背光模組呈現(xiàn)爆發(fā)性的成長(zhǎng),，幾年間幾乎全面取代了CCFL,，其應(yīng)用領(lǐng)域由手機(jī)、平板電腦,、筆電,、臺(tái)式顯示器乃至電視等等。

　　然而,，CE認(rèn)證,，因TFT-LCD非自發(fā)光的顯示原理所致，其opencell穿透率約在7%以下,，造成TFT-LCD的光電效率低落,；且白光LED所能提供的色飽和度仍不如三原色LED，企業(yè)資訊,，大部分TFT-LCD產(chǎn)品約僅72%NTSC,；再則，于室外環(huán)境下,，TFT-LCD亮度無法提升至1000nits以上,，致使影像和色彩辨識(shí)度低，為其一大應(yīng)用缺陷,。故另一種直接利用三原色LED做為自發(fā)光顯示點(diǎn)劃素的LED Display或Micro LED Display的技術(shù)也正在發(fā)展中,。

　　現(xiàn)況

　　隨著LED的成熟與演進(jìn)，Micro LED Display自2010年起開始有著不一樣的面貌呈現(xiàn),。

　　從其發(fā)展歷程來看,，2012年Sony發(fā)表的55寸“CrystalLEDDisplay”就是MicroLEDDisplay技術(shù)類型，其FullHD解析度共使用約622萬(1920x1080x3)顆micro LED做為高解析的顯示劃素,，對(duì)比度可達(dá)百萬比一,，色飽和度可達(dá)140%NTSC，無反應(yīng)時(shí)間和使用壽命問題,。但是因采單顆MicroLED嵌入方式,，廠房照明，在商業(yè)化上,，仍有不少的成本與技術(shù)瓶頸存在,，以致于迄今未能量產(chǎn)。

　　雖然MicroLED理論上是皆可應(yīng)用各類尺寸產(chǎn)品,，但從自身良率及制程來看,，目前對(duì)解析度高低的需求與良率成反比，所以對(duì)解析度要求不高的穿戴式產(chǎn)品的顯示器因尺寸面積小,、制作良率較高、符合節(jié)電需求,，而被優(yōu)先導(dǎo)入microLED,。

　　一般LED芯片包含基板和磊晶層其厚度約在100~500μm,，且尺寸介于100~1000μm。而更進(jìn)一步正在進(jìn)行的Micro LED Display研究在于將LED表面厚約4~5μm磊晶層用物理或化學(xué)機(jī)制剝離,，再移植至電路基板上,。

　　其Micro LED Display綜合TFT-LCD和LED兩大技術(shù)特點(diǎn)，在材料,、制程,、設(shè)備的發(fā)展較為成熟，產(chǎn)品規(guī)格遠(yuǎn)高于目前的TFT-LCD或OLED,，辦公照明,，應(yīng)用領(lǐng)域更為廣泛包含軟性、透明顯示器,，為一可行性高的次世代平面顯示器技術(shù),。

　　自2010年后各廠商積極于Micro LED Display的技術(shù)整合與開發(fā)，然因Micro LED Display尚未有標(biāo)準(zhǔn)的μLED結(jié)構(gòu),、量產(chǎn)制程與驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),，各廠商其專利布局更是兵家必爭(zhēng)之地。

　　迄2016年止,，恒光電器,照亮您的生活,，已被Apple并購的Luxvue、MikroMesa,、SONY,、leti等公司皆已具數(shù)量規(guī)模的專利申請(qǐng)案，更有為數(shù)眾多的公司與研究機(jī)構(gòu)投入相關(guān)的技術(shù)開發(fā),。

　　主要參與開發(fā)的企業(yè)

　　原理

　　Micro LED Display的顯示原理,，是將LED結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行薄膜化、微小化,、陣列化,，其尺寸僅在1-10μm等級(jí)左右；后將Micro LED批量式轉(zhuǎn)移至電路基板上,，其基板可為硬性,、軟性之透明、不透明基板上,；再利用物理沉積制程完成保護(hù)層與上電極,，即可進(jìn)行上基板的封裝，完成一結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的MicroLED顯示,。

　　而要制成顯示器,，其晶片表面必須制作成如同LED顯示器般之陣列結(jié)構(gòu)，LED照明品牌,，且每一個(gè)點(diǎn)劃素必須可定址控制,、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮,。若透過互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體電路驅(qū)動(dòng)則為主動(dòng)定址驅(qū)動(dòng)架構(gòu)，MicroLED陣列晶片與CMOS間可透過封裝技術(shù),。

　　黏貼完成后Micro LED能藉由整合微透鏡陣列,，提高亮度及對(duì)比度。Micro LED陣列經(jīng)由垂直交錯(cuò)的正,、負(fù)柵狀電極連結(jié)每一顆Micro LED的正,、負(fù)極，商業(yè)照明燈具,，透過電極線的依序通電,，透過掃描方式點(diǎn)亮Micro LED以顯示影像。

　　Micro LED結(jié)構(gòu)圖

　　Micro LED典型結(jié)構(gòu)是一PN接面二極管,，由直接能隙半導(dǎo)體材料構(gòu)成,。當(dāng)對(duì)Micro LED上下電極施加一正向偏壓，致使電流通過時(shí),，電子,、空穴對(duì)于主動(dòng)區(qū)復(fù)合，道路照明,，發(fā)射出單一色光,。MicroLED光譜主波長(zhǎng)的FWHM約20nm，可提供極高的色飽和度,，通�,？�>120%NTSC。

　　而且自2008年以后,，LED光電轉(zhuǎn)換效率得到了大幅提高,，100lm/W以上已成量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。因此對(duì)于Micro LED顯示的應(yīng)用,，因其自發(fā)光的顯示特性,，搭配幾乎無光耗元件的簡(jiǎn)易結(jié)構(gòu)，就可輕易實(shí)現(xiàn)低能耗或高亮度的顯示器設(shè)計(jì),。

　　這樣可解決目前顯示器應(yīng)用的兩大問題,，一是穿戴型裝置、手機(jī),、平板等設(shè)備的80%以上的能耗在于顯示器上,，低能耗的顯示器技術(shù)可提供更長(zhǎng)的電池續(xù)航力；二是環(huán)境光較強(qiáng)致使顯示器上的影像泛白,、辨識(shí)度變差的問題,，高亮度的顯示技術(shù)可使其應(yīng)用的范疇更加寬廣。

　　制程種類及技術(shù)發(fā)展

　　對(duì)于半導(dǎo)體與芯片的制程微縮目前已到極限,，而在制造上的微縮卻還存在相當(dāng)大的成長(zhǎng)空間,，對(duì)于Micro LED制程上,，目前主要呈現(xiàn)分為三大種類：Chip bonding、Wafer bonding和Thin film transfer,。

　　三大制程的各自優(yōu)劣勢(shì)及廠商

　　Chip bonding（芯片級(jí)焊接）

　　將LED直接進(jìn)行切割成微米等級(jí)的Micro LED chip(含磊晶薄膜和基板)，利用SMT技術(shù)或COB技術(shù),，將微米等級(jí)的Micro LED chip一顆一顆鍵接于顯示基板上,。

　　Wafer bonding（外延級(jí)焊接）

　　在LED的磊晶薄膜層上用感應(yīng)耦合等離子離子蝕刻(ICP)，直接形成微米等級(jí)的MicroLED磊晶薄膜結(jié)構(gòu),，此結(jié)構(gòu)之固定間距即為顯示劃素所需的間距,，節(jié)能與環(huán)保，再將LED晶圓(含磊晶層和基板)直接鍵接于驅(qū)動(dòng)電路基板上,，最后使用物理或化學(xué)機(jī)制剝離基板,，廠房照明，僅剩4~5μm的MicroLED磊晶薄膜結(jié)構(gòu)于驅(qū)動(dòng)電路基板上形成顯示劃素,。

　　Thin film transfer（薄膜轉(zhuǎn)移）

　　使用物理或化學(xué)機(jī)制剝離LED基板,，以一暫時(shí)基板承載LED磊晶薄膜層，再利用感應(yīng)耦合等離子離子蝕刻,，形成微米等級(jí)的MicroLED磊晶薄膜結(jié)構(gòu),；或者，先利用感應(yīng)耦合等離子離子蝕刻,，LED筒燈,，形成微米等級(jí)的MicroLED磊晶薄膜結(jié)構(gòu)，電工照明,，再使用物理或化學(xué)機(jī)制剝離LED基板,，以一暫時(shí)基板承載LED磊晶薄膜結(jié)構(gòu)。

　　最后,，根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路基板上所需的顯示劃素點(diǎn)間距,，利用具有選擇性的轉(zhuǎn)移治具，將Micro LED磊晶薄膜結(jié)構(gòu)進(jìn)行批量轉(zhuǎn)移,，鍵接于驅(qū)動(dòng)電路基板上形成顯示劃素,。

　　總結(jié)

　　盡管Micro LED顯示已經(jīng)備受企業(yè)關(guān)注和加大研發(fā)，LED球泡燈,，在規(guī)格上也較LCD具有多重好處,，甚至劃質(zhì)上可與OLED相媲美，但是現(xiàn)階段該顯示器發(fā)展并未普及,，主要困難點(diǎn)有三大方面,。

　　第一，在于LED固晶上,。以目前已成熟的LED燈條制程為例,，在制作一LED燈條尚有壞點(diǎn)等失敗問題發(fā)生,，何況是一片顯示器上要嵌入數(shù)百萬顆微型LED。而LCD與OLED已采批次作業(yè),，良率表現(xiàn)相對(duì)較佳,。

　　第二，在LED組件上,。覆晶LED適合于MicroLED顯示,，因其體積小、易制作成微型化,，不需金屬導(dǎo)線,、可縮減LED彼此間的間隙等，雖然FlipChip目前的良率還有一定問題,，但是隨著LED的技術(shù)的逐漸完善和資本的不斷注入,，已經(jīng)在穩(wěn)步提升。

　　第三,，在規(guī)�,；�轉(zhuǎn)移上。未來MicroLED顯示困難處在于嵌入LED制程不易采大批量的作業(yè)方式,，尤其是RGB的3色LED較單色難度更高,。但是未來隨著LED黏著、印刷等技術(shù)方法的提升,，則有利于MicroLED顯示導(dǎo)入量產(chǎn)化階段,。（文/LEDinsideskavy）

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