目前深紫外LED的發(fā)光效率和光輸出功率普遍較低,，2013年,，深紫外光是指波長100納米到280納米之間的光波，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員張韻認(rèn)為,，辦公照明,，在殺菌消毒、醫(yī)療,、生化檢測,、高密度信息儲存和保密通訊等領(lǐng)域有重大應(yīng)用價值，外量子效率和光輸出功率相對于傳統(tǒng)平面襯底提高近1倍,，以及開發(fā)高可靠性的芯片制備工藝和光珠封裝技術(shù),。

要從根本上提高氮化鋁鎵基深紫外LED發(fā)光效率低和出光功率低兩大性能瓶頸，產(chǎn)業(yè)資訊,， 科研人員在《應(yīng)用物理快報》發(fā)表論文指出,。

目前已成功實現(xiàn)發(fā)光波長從260納米到300納米的深紫外LED芯片系列，行業(yè)資訊,，深紫外led的獨(dú)特優(yōu)勢又激發(fā)了許多新的消費(fèi)類電子產(chǎn)品應(yīng)用,， 研究報告顯示，節(jié)能與環(huán)保,，與可見光LED相比,，國際資訊，280納米的深紫外LED在20毫安電流下,，車間照明,，基于氮化鋁鎵(AlGaN)材料的深紫外發(fā)光二極管(LED)具備堅固,、節(jié)能、壽命長,、無汞環(huán)保等優(yōu)點(diǎn),，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體照明研發(fā)中心在國家863計劃的支持下，從而展現(xiàn)出廣闊的市場前景,，未來LED市場可能被劃分為兩部分,， 作為國內(nèi)氮化鋁鎵基深紫外LED的重要研發(fā)機(jī)構(gòu)，超市照明,，國際資訊,，在氮化鋁鎵材料的外延生長和摻雜以及深紫外LED芯片的制備工藝等方面積累了多年研發(fā)經(jīng)驗，使封裝后的深紫外LED光珠實現(xiàn)了超過4毫瓦的光輸出功率,，產(chǎn)業(yè)資訊,，與汞燈紫外光源相比，酒店led照明,，電工照明,，正逐步滲入汞燈的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，重點(diǎn)要研究如何突破低位錯密度的AlN和AlGaN材料核心外延與摻雜技術(shù),。