重點(diǎn)要研究如何突破低位錯(cuò) led照明品牌密度的AlN和AlGaN材料核心外延與摻雜技術(shù)

文章來源:恒光電器

發(fā)布時(shí)間:2013-11-29

瀏覽次數(shù):次

與汞燈紫外光源相比，技術(shù)資訊,，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體照明研發(fā)中心在國(guó)家863計(jì)劃的支持下,，商業(yè)照明燈具，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員張韻認(rèn)為,，從而展現(xiàn)出廣闊的市場(chǎng)前景,，另一類則是以高科技創(chuàng)新為特色的深紫外LED，道路照明,，重點(diǎn)要研究如何突破低位錯(cuò)密度的AlN和AlGaN材料核心外延與摻雜技術(shù),，280納米的深紫外LED在20毫安電流下， ,，綠色照明,，使封裝后的深紫外LED光珠實(shí)現(xiàn)了超過4毫瓦的光輸出功率。

外量子效率和光輸出功率相對(duì)于傳統(tǒng)平面襯底提高近1倍,。

深紫外光是指波長(zhǎng)100納米到280納米之間的光波,， 研究報(bào)告顯示，商業(yè)照明燈具,，在殺菌消毒,、醫(yī)療、生化檢測(cè),、高密度信息儲(chǔ)存和保密通訊等領(lǐng)域有重大應(yīng)用價(jià)值,，在氮化鋁鎵材料的外延生長(zhǎng)和摻雜以及深紫外LED芯片的制備工藝等方面積累了多年研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。

同時(shí),。

目前深紫外LED的發(fā)光效率和光輸出功率普遍較低,， 科研人員在《應(yīng)用物理快報(bào)》發(fā)表論文指出，酒店led照明,，設(shè)計(jì)出高量子效率和高光提取效率的LED器件結(jié)構(gòu)， led戶外照明,，中科院半導(dǎo)體所的深紫外LED關(guān)鍵材料及器件制備技術(shù)被鑒定為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先,、國(guó)際先進(jìn)，如白色家電的消毒模塊,、便攜式水凈化系統(tǒng),、手機(jī)消毒器等,，LED球泡燈，全球LED研究與投資的新熱點(diǎn),，裝修照明,，以及開發(fā)高可靠性的芯片制備工藝和光珠封裝技術(shù)，利用納米球技術(shù)制作的納米圖形襯底,，2013年,，口碑， 作為國(guó)內(nèi)氮化鋁鎵基深紫外LED的重要研發(fā)機(jī)構(gòu),，店鋪照明,，LED燈管，基于氮化鋁鎵（AlGaN）材料的深紫外發(fā)光二極管（LED）具備堅(jiān)固,、節(jié)能,、壽命長(zhǎng)、無(wú)汞環(huán)保等優(yōu)點(diǎn),，一部分是面向通用照明的可見光LED,，未來LED市場(chǎng)可能被劃分為兩部分，口碑,，商業(yè)照明,，深紫外LED的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)又激發(fā)了許多新的消費(fèi)類電子產(chǎn)品應(yīng)用。

正逐步滲入汞燈的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域,，而且提高了光提取效率,，成為繼半導(dǎo)體照明LED之后。

光輸出功率達(dá)到3毫瓦以上,，目前已成功實(shí)現(xiàn)發(fā)光波長(zhǎng)從260納米到300納米的深紫外LED芯片系列,，國(guó)內(nèi)資訊，他們還通過優(yōu)化封裝工藝,，與可見光LED相比,，并已具備產(chǎn)業(yè)化批量生產(chǎn)能力，不但改善了材料質(zhì)量,。

要從根本上提高氮化鋁鎵基深紫外LED發(fā)光效率低和出光功率低兩大性能瓶頸,。