LED藍寶石基板與芯片背部減薄制程
文章來源:恒光電器
發(fā)布時間:2014-01-11
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目前在LED制程中，照明產(chǎn)品,，藍寶石基板雖然受到來自Si與GaN基板的挑戰(zhàn),，但是考慮到成本與良率，藍寶石在近兩年內(nèi)仍然具有優(yōu)勢,，可以預見接下來藍寶石基板的發(fā)展方向是大尺寸與圖案化,。由于藍寶石硬度僅次于鉆石，3c認證,，因此對它進行減薄與表面平坦化加工非常困難,，在逐漸的摸索中，業(yè)界形成了一套大致相同的對于藍寶石基板進行減薄與平坦化的工藝。
一,、LED藍寶石基板加工工藝
首先對于藍寶石基板來說,，它在成為一片合格的襯底之前大約經(jīng)歷了從切割、粗磨,、精磨,、以及拋光幾道工序。以2英寸藍寶石為例：
1.切割：切割是從藍寶石晶棒通過線切割機切割成厚度在500um左右的毛片,。在這項制程中,，LED筒燈，金剛石線鋸是最主要的耗材,，國內(nèi)資訊,，目前主要來自日本、韓國與臺灣地區(qū),。
2.粗拋：切割之后的藍寶石表面非常粗糙,，需要進行粗拋以修復較深的刮傷，改善整體的平坦度,。這一步主要采用50~80um的B4C加Coolant進行研磨,，研磨之后表面粗糙度Ra大約在1um左右。
3.精拋：接下來是較精細的加工,，因為直接關系到最后成品的良率與品質,。目前標準化的2英寸藍寶石基板的厚度為430um，因此精拋的總去除量約在30um左右,�,？紤]到移除率與最后的表面粗糙度Ra，這一步主要以多晶鉆石液配合樹脂錫盤以Lapping的方式進行加工,。
大多數(shù)藍寶石基板廠家為了追求穩(wěn)定性,，多采用日本的研磨機臺以及原廠的多晶鉆石液。但是隨著成本壓力的升高以及國內(nèi)耗材水準的提升,，目前國內(nèi)的耗材產(chǎn)品已經(jīng)可以替代原廠產(chǎn)品,，并且顯著降低成本。
說到多晶鉆石液不妨多說兩句,，企業(yè)資訊,，家用照明，對于多晶鉆石液的微粉部分,，一般要求顆粒度要集中,，行業(yè)資訊，形貌要規(guī)整,，這樣可以提供持久的切削力且表面刮傷比較均勻,。國內(nèi)可以生產(chǎn)多晶鉆石微粉的廠家有北京國瑞升和四川久遠，而國瑞升同時可以自己生產(chǎn)鉆石液，因此在品質與成本上具有較大優(yōu)勢,。美國的Diamond Innovation最近推出了“類多晶鉆石”,，實際是對普通單晶鉆石的一種改良，雖然比較堅固的結構能提供較高的切削力,，但是同時也更容易造成較深的刮傷,。
4.拋光：多晶鉆石雖然造成的刮傷明顯小于單晶鉆石，但是仍然會在藍寶石表面留下明顯的刮傷,，質量,，因此還會經(jīng)過一道CMP拋光，去除所有的刮傷,，留下完美的表面,。CMP工藝原本是針對矽基板進行平坦化加工的一種工藝，現(xiàn)在對藍寶石基板同樣適用,。經(jīng)過CMP拋光工藝的藍寶石基板在經(jīng)過層層檢測,，達到合格準的產(chǎn)品就可以交給外延廠進行磊晶了。
二,、芯片的背部減薄制程
磊晶之后的藍寶石基板就成為了外延片,，外延片在經(jīng)過蝕刻、蒸鍍,、電極制作,、保護層制作等一系列復雜的半導體制程之后，還需要切割成一粒粒的芯片,，根據(jù)芯片的大小,，酒店led照明，一片2英寸的外延片可以切割成為數(shù)千至上萬個CHIP,。前文講到此時外延片的厚度在430um附近,，LED照明品牌，由于藍寶石的硬度以及脆性,，普通切割工藝難以對其進行加工,。目前普遍的工藝是將外延片從430um減薄至100um附近,，然后再使用鐳射進行切割,。
1.Grinding制程
對外延片以Lapping的方式雖然加工品質較好，道路照明,，技術資訊,，但是移除率太低，最高也只能達到3um/min左右,，如果全程使用Lapping的話,，LED照明企業(yè)，僅此加工就需耗時約2h,時間成本過高。目前的解決方式是在Lapping之前加入Grinding的制程,，店鋪照明,，通過鉆石砂輪與減薄機的配合來達到快速減薄的目的。
2.Lapping制程
減薄之后再使用6um左右的多晶鉆石液配合樹脂銅盤,，既能達到較高的移除率,，又能修復Grinding制程留下的較深刮傷。一般來說切割過程中發(fā)生裂片都是由于Grinding制程中較深的刮傷沒有去除,，因此此時對鉆石液的要求也比較高,。
除了裂片之外，有些芯片廠家為了增加芯片的亮度,，LED燈管,，在Lapping的制程之后還會在外延片背面鍍銅，此時對Lapping之后的表面提出了更高的要求,。雖然有些刮傷不會引起裂片,，但是會影響背鍍的效果。此時可以采用3um多晶鉆石液或者更小的細微性來進行Lapping制程,，以達到更好的表面品質,。