LED外延藍(lán)寶石基板(襯底)詳細(xì)介紹
文章來源:恒光電器
發(fā)布時間:2014-04-07
瀏覽次數(shù):次
藍(lán)寶石詳細(xì)介紹
下圖則分別為藍(lán)寶石的切面圖;晶體結(jié)構(gòu)圖上視圖;晶體結(jié)構(gòu)側(cè)視圖; Al2O3分之結(jié)構(gòu)圖;藍(lán)寶石結(jié)晶面示意圖
藍(lán)寶石結(jié)晶面示意圖
最常用來做GaN磊晶的是C面(0001)這個不具極性的面,所以GaN的極性將由制程決定
藍(lán)寶石(Al2O3)特性表
分子式
Al2O3
密度
3.95-4.1克/立方厘米
晶體結(jié)構(gòu)
六方晶格
晶格常數(shù)
a=4.785Å , c=12.991Å
莫氏硬度
9 (僅次于鉆石:10)
熔點
2045℃
沸點
3000℃
熱膨脹系數(shù)
5.8×10 -6 /K
比熱
0.418W.s/g/k
熱導(dǎo)率
25.12W/m/k (@ 100℃)
折射率
no =1.768 ne =1.760
dn/dt
13x10 -6 /K(@633nm)
透光特性
T≈80% (0.3~5μm)
介電常數(shù)
11.5(∥c), 9.3(⊥c)
2 藍(lán)寶石晶體的生長方法
藍(lán)寶石晶體的生長方法常用的有兩種:
1:柴氏拉晶法(Czochralski method),簡稱CZ法.先將原料加熱至熔點后熔化形成熔湯,再利用一單晶晶種接觸到熔湯表面,,在晶種與熔湯的固液界面上因溫度差而形成過冷,。于是熔湯開始在晶種表面凝固并生長和晶種相同晶體結(jié)構(gòu)的單晶。晶種同時以極緩慢的速度往上拉升,,并伴隨以一定的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn),,隨著晶種的向上拉升,熔湯逐漸凝固于晶種的液固界面上,,進(jìn)而形成一軸對稱的單晶晶錠.
2:凱氏長晶法(Kyropoulos method),簡稱KY法,大陸稱之為泡生法.其原理與柴氏拉晶法(Czochralskimethod)類似,,辦公照明,先將原料加熱至熔點后熔化形成熔湯,,再以單晶之晶種(SeedCrystal,,又稱籽晶棒)接觸到熔湯表面,在晶種與熔湯的固液界面上開始生長和晶種相同晶體結(jié)構(gòu)的單晶,,晶種以極緩慢的速度往上拉升,,但在晶種往上拉晶一段時間以形成晶頸,CE認(rèn)證,,待熔湯與晶種界面的凝固速率穩(wěn)定后,,晶種便不再拉升,建筑照明,,也沒有作旋轉(zhuǎn),,僅以控制冷卻速率方式來使單晶從上方逐漸往下凝固,最后凝固成一整個單晶晶碇.
兩種方法的晶體生長示意圖如下:
柴氏拉晶法(Czochralski method)之原理示意圖
3 藍(lán)寶石襯底加工流程
藍(lán)寶石基片的原材料是晶棒,晶棒由藍(lán)寶石晶體加工而成.其相關(guān)制造流程如下:
藍(lán)寶石晶棒制造工藝流程
藍(lán)寶石晶棒加工流程
長晶: 利用長晶爐生長尺寸大且高品質(zhì)的單晶藍(lán)寶石晶體
定向: 確保藍(lán)寶石晶體在掏棒機(jī)臺上的正確位置,便于掏棒加工
掏棒: 以特定方式從藍(lán)寶石晶體中掏取出藍(lán)寶石晶棒
滾磨: 用外圓磨床進(jìn)行晶棒的外圓磨削,得到精確的外圓尺寸精度
品檢: 確保晶棒品質(zhì)以及以及掏取后的晶棒尺寸與方位是否合客戶規(guī)格
定向:在切片機(jī)上準(zhǔn)確定位藍(lán)寶石晶棒的位置,以便于精準(zhǔn)切片加工
切片:將藍(lán)寶石晶棒切成薄薄的晶片