LED行業(yè)未來(lái)3年硅基GaN專(zhuān)利戰(zhàn)將全面打響
文章來(lái)源:恒光電器
發(fā)布時(shí)間:2014-05-10
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硅基GaN技術(shù)盡管具有成為優(yōu)勢(shì),，但是它的大批量生產(chǎn)前景還不明朗,，不過(guò)它已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)入生產(chǎn)。那么它的專(zhuān)利格局是怎樣的呢,？
大部分主要的LED企業(yè)都積極地申請(qǐng)硅基GaN技術(shù)相關(guān)專(zhuān)利,，LED-T5一體化燈管，少數(shù)將其作為核心策略和技術(shù)路線(xiàn),。Yole預(yù)測(cè),，相對(duì)于LED產(chǎn)業(yè)，恒光,， LED置換工程,，該技術(shù)將在功率電子和RF應(yīng)用中大放異彩,，3c認(rèn)證，企業(yè)資訊,，因?yàn)槠涑杀镜投遗cCMOS的兼容性好,。
硅基GaN襯底面臨一些技術(shù)挑戰(zhàn)。GaN和硅之間的巨大晶格失配導(dǎo)致了外延層的缺陷密度太高,。而且兩者之間的巨大熱膨脹系數(shù)會(huì)導(dǎo)致它在從生長(zhǎng)溫度冷卻至室溫時(shí)產(chǎn)生大的拉伸應(yīng)力,，裝修照明，這會(huì)引起薄膜的破裂和晶圓的下凹彎曲,。
Yole的報(bào)告挑選了解決上述挑戰(zhàn)的專(zhuān)利,，質(zhì)量， led服裝照明,，并深入分析了專(zhuān)利持有人及其專(zhuān)利技術(shù),，大功率led照明，但不涉及有源層或GaN器件的專(zhuān)利,。
眼下,，這些專(zhuān)利技術(shù)表面關(guān)鍵材料問(wèn)題已經(jīng)取得了顯著的進(jìn)步，比如減少位錯(cuò)密度和應(yīng)力管理以防止晶圓出現(xiàn)破碎和翹曲,。Yole Développement認(rèn)為硅基GaN IP已足夠先進(jìn)使其開(kāi)始大批量生產(chǎn),。
超過(guò)50家公司和科研機(jī)構(gòu)涉足硅基GaN IP，而大部分主要的GaN廠(chǎng)商在專(zhuān)利申請(qǐng)方面名列前茅,。豐田合成,、東芝、松下,、三菱,、Nitronex、Soitec和Azzurro均勻很強(qiáng)的IP組合,。但三星,、Dowa、LG,、夏普和NGK Insulators正在成為硅基GaN IP格局的主要力量,。Soitec和Sumitomo 在GaN層轉(zhuǎn)移到硅襯底方面處于領(lǐng)先地位。
目前,，CCC認(rèn)證,，僅有少數(shù)廠(chǎng)商在銷(xiāo)售外延片或模板，LED照明企業(yè),，恒光,，能夠商用硅基GaN器件的廠(chǎng)商鳳毛麟角。不同于少數(shù)被注意到的IP整合(Nitronex 與International Rectifier,、東芝與普瑞光電,、Soitec與Sumitomo以及Macom (Nitronex)與IQE),，CE認(rèn)證，硅基GaN IP還沒(méi)有被企業(yè)廣泛用于抬升授權(quán)談判和供應(yīng)合作,。截至目前，專(zhuān)利訴訟也少之又少,。但現(xiàn)有的IP覆蓋了這些技術(shù)挑戰(zhàn)的方方面面,，最近五年主要的GaN廠(chǎng)商申請(qǐng)了大量關(guān)鍵專(zhuān)利(東芝、三星,、LG,、夏普、NGK,、Sumitomo,、Soitec、Azzurro以及Dowa),。而且,，產(chǎn)業(yè)資訊，隨著它在RF和功率器件領(lǐng)域的發(fā)展,，國(guó)際資訊,，硅基GaN行業(yè)開(kāi)始成形，因此未來(lái)三年IP戰(zhàn)將全面打響,。