垂直結構LED晶片的詳細介紹

文章來源:恒光電器

發(fā)布時間:2014-04-10

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 由于藍寶石基板的導熱系數差,，影響LED的發(fā)光效率。為了解決LED的散熱難題,，未來有可能將主要采用垂直結構LED的架構,，促進LED產業(yè)的技術發(fā)展。關于垂直結構LED技術相信大家都有所耳聞,，下面僅從技術表層進行介紹,，工程照明，謹供參考,。
我們知道,，LED芯片有兩種基本結構,，LED天花燈，橫向結構(Lateral)和垂直結構(Vertical),。橫向結構LED芯片的兩個電極在LED芯片的同一側,，行業(yè)資訊，電流在n-和p-類型限制層中橫向流動不等的距離,。垂直結構的LED芯片的兩個電極分別在LED外延層的兩側,，酒店led照明，由于圖形化電極和全部的p-類型限制層作為第二電極,，ROSH認證,，恒光電器，使得電流幾乎全部垂直流過LED外延層,，極少橫向流動的電流,，可以改善平面結構的電流分布問題，提高發(fā)光效率,，也可以解決P極的遮光問題,，提升LED的發(fā)光面積。
我們先來了解下垂直結構LED的制造技術與基本方法：
制造垂直結構LED芯片技術主要有三種方法：
一,、采用碳化硅基板生長GaN薄膜,，優(yōu)點是在相同操作電流條件下，光衰少,、壽命長,，不足處是硅基板會吸光。
二,、利用芯片黏合及剝離技術制造,。優(yōu)點是光衰少、壽命長,，不足處是須對LED表面進行處理以提高發(fā)光效率,。
三、是采用異質基板如硅基板成長氮化鎵LED磊晶層,，恒光電器,，優(yōu)點是散熱好、易加工,。
制造垂直結構LED芯片有兩種基本方法：剝離生長襯底和不剝離生長襯底 ,。其中生長在砷化鎵生長襯底上的垂直結構GaP基LED芯片有兩種結構：
不剝離導電砷化鎵生長襯底：在導電砷化鎵生長襯底上層迭導電DBR反射層，生長 GaP 基LED外延層在導電DBR反射層上,。
剝離砷化鎵生長襯底：層迭反射層在GaP基LED外延層上,，鍵合導電支持襯底，剝離砷化鎵襯底。導電支持襯底包括,，砷化鎵襯底,，磷化鎵襯底，LED射燈,，硅襯底,，金屬及合金等。
另外,，生長在硅片上的垂直GaN基LED也有兩種結構：
不剝離硅生長襯底：在導電硅生長襯底上層迭金屬反射層或導電DBR反射層,，生長氮化鎵基LED外延層在金屬反射層或導電DBR反射層上。
剝離硅生長襯底：層迭金屬反射層在氮化鎵基LED外延層上,，在金屬反射層上鍵合導電支持襯底,，剝離硅生長襯底。
再簡單說明制造垂直氮化鎵基 LED 工藝流程：層迭反射層在氮化鎵基 LED 外延層上,，在反射層上鍵合導電支持襯底,，剝離藍寶石生長襯底。導電支持襯底包括,，金屬及合金襯底，LED球泡燈,，硅襯底等,。
無論是GaP基LED、GaN基LED,，商業(yè)照明,，LED照明品牌，還是ZnO基LED這一類通孔垂直結構LED,，相比傳統結構LED有著較大的優(yōu)勢,，LED照明工程，具體表現在：
1,、目前,，現有的所有顏色的垂直結構LED：紅光LED、綠光LED,、藍光LED及紫外光LED,，都可以制成通孔垂直結構LED有極大的應用市場。
2,、所有的制造工藝都是在芯片( wafer )水平進行的,。
3、由于無需打金線與外界電源相聯結,，LED射燈,，采用通孔垂直結構的 LED 芯片的封裝的厚度降低。因此，可以用于制造超薄型的器件,，LED天花燈,，質量，如背光源等,。