大功率LED封裝常用的5種關(guān)鍵技術(shù)和4種結(jié)構(gòu)形式
文章來源:恒光電器
發(fā)布時間:2015-09-26
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LED(light-emitting diode)已成為國際新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)界的競爭熱點。在LED產(chǎn)業(yè)鏈中,上游包括襯底材料、外延、芯片設(shè)計及制造生產(chǎn),LED射燈,中游涵蓋封裝工藝、裝備和測試技術(shù),家用照明,下游為LED顯示、照明和燈具等應(yīng)用產(chǎn)品。目前主要采用藍光LED+黃色熒光粉工藝來實現(xiàn)白光大功率LED,3c認證,即通過GaN基藍光LED一部分藍光激發(fā)YAG(yttrium aluminum garnet)黃色熒光粉發(fā)射出黃光,另外一部分藍光透過熒光粉發(fā)射出來,由黃色熒光粉發(fā)射的黃光與透射的藍光混合后得到白光。藍光LED芯片發(fā)出的藍光透過涂覆在其周圍的黃色熒光粉,熒光粉被一部分藍光激發(fā)后發(fā)出黃光,藍光光譜與黃光光譜互相重疊后形成白光。
大功率LED封裝作為產(chǎn)業(yè)鏈中承上啟下的重要一環(huán),是推進半導(dǎo)體照明和顯示走向?qū)嵱没暮诵闹圃旒夹g(shù)。只有通過開發(fā)低熱阻、高光效和高可靠性的LED封裝和制造技術(shù),對LED芯片進行良好的機械和電氣保護,減少機械、電、熱、濕和其他外部因素對芯片性能的影響,保障LED芯片穩(wěn)定可靠的工作,才能提供高效持續(xù)的高性能照明和顯示效果,實現(xiàn)LED所特有的節(jié)能長壽優(yōu)勢,促進整個半導(dǎo)體照明和顯示產(chǎn)業(yè)鏈良性發(fā)展。鑒于國外相關(guān)公司出于市場利益的考慮,對相關(guān)核心技術(shù)和裝備均采取封鎖措施,因而發(fā)展自主的大功率LED封裝技術(shù)特別是白光LED封裝設(shè)備已迫在眉睫。本文將簡要介紹大功率LED封裝領(lǐng)域的研究與應(yīng)用現(xiàn)狀,分析和總結(jié)大功率LED封裝過程中的關(guān)鍵技術(shù)問題,以期引起國內(nèi)同行的注意,為實現(xiàn)大功率LED關(guān)鍵技術(shù)和裝備的自主化而努力。
封裝工藝技術(shù)對LED性能起著至關(guān)重要的作用。LED封裝方法、材料、結(jié)構(gòu)和工藝的選擇主要由芯片結(jié)構(gòu)、光電/機械特性、具體應(yīng)用和成本等因素決定。隨著功率的增大,特別是固態(tài)照明技術(shù)發(fā)展的需求,對LED封裝的光學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)和機械結(jié)構(gòu)等提出了新的、更高的要求。為了有效地降低封裝熱阻,提高出光效率,必須采用全新的技術(shù)思路來進行封裝設(shè)計。從工藝兼容性及降低生產(chǎn)成本的角度看,LED封裝設(shè)計應(yīng)與芯片設(shè)計同時進行,商業(yè)照明,即芯片設(shè)計時就應(yīng)該考慮到封裝結(jié)構(gòu)和工藝。目前功率LED封裝結(jié)構(gòu)的主要發(fā)展趨勢是:尺寸小型化、器件熱阻最小化、平面貼片化、耐受結(jié)溫最高化、單燈光通量最大化;目標(biāo)是提高光通量、光效,減少光衰、失效率,提高一致性和可靠性。具體而言,大功率LED封裝的關(guān)鍵技術(shù)主要包括:熱散技術(shù)、光學(xué)設(shè)計技術(shù)、結(jié)構(gòu)設(shè)計技術(shù)、熒光粉涂覆技術(shù)、共晶焊技術(shù)等。
1、散熱技術(shù)
一般的LED節(jié)點溫度則不能超過120℃,即便是LumiLEDs、Nichia、CREE等推出的最新器件,其最高節(jié)點溫度仍不能超過1500℃。因此LED器件的熱輻射效應(yīng)基本可以忽略不計,熱傳導(dǎo)和對流是LED散熱的主要方式。在散熱設(shè)計時先從熱傳導(dǎo)方面考慮,因為熱量首先從LED封裝模塊中傳導(dǎo)到散熱器。所以粘結(jié)材料、基板是LED散熱技術(shù)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
粘結(jié)材料主要包括導(dǎo)熱膠、導(dǎo)電銀漿和合金焊料三種主要方式。導(dǎo)熱膠是在基體內(nèi)部加入一些高導(dǎo)熱系數(shù)的填料,如SiC、A1N、A12O3、SiO2等,從而提高其導(dǎo)熱;導(dǎo)電銀漿是將銀粉加入環(huán)氧樹脂中形成的一種復(fù)合材料,粘貼的硬化溫度一般低于200℃,具有良好的導(dǎo)熱特性、粘結(jié)性能可靠等優(yōu)點,但銀漿對光的吸收比較大, led服裝照明,導(dǎo)致光效下降。
基板主要包括陶瓷基板、陶瓷基板和復(fù)合基板三種主要方式。陶瓷基板主要是LTCC基板和AIN基板。LTCC基板具有易于成型、工藝簡單、成本低而且容易制成多種形狀等諸多優(yōu)點;Al和Cu都是LED封裝基板的優(yōu)良材料,由于金屬材料的導(dǎo)電性,為使其表面絕緣,往往需通過陽極氧化處理,使其表面形成薄的絕緣層。金屬基復(fù)合材料主要有Cu基復(fù)合材料、Al基復(fù)合材料。Occhionero等人探究了AlSiC在倒裝芯片、光電器件、功率器件及大功率LED散熱基板上的應(yīng)用,在AlSiC中加入熱解石墨還可以滿足對散熱要求更高的工況。未來的復(fù)合基板主要有5種:單片電路碳質(zhì)材料、金屬基復(fù)合材料、聚合物基復(fù)合材料、碳復(fù)合材料和高級金屬合金。
另外,封裝界面對熱阻影響也很大,改善LED封裝的關(guān)鍵在于減少界面和界面接觸熱阻,增強散熱。因此,芯片和散熱基板間的熱界面材料選擇十分重要。采用低溫或共晶焊料、焊膏或者內(nèi)摻納米顆粒的導(dǎo)電膠作為熱界面材料,可大大降低界面熱阻。
2、光學(xué)設(shè)計技術(shù)
LED封裝的光學(xué)設(shè)計包括內(nèi)光學(xué)設(shè)計和外光學(xué)設(shè)計。
內(nèi)光學(xué)設(shè)計的關(guān)鍵在于灌封膠的選擇與應(yīng)用。在灌封膠的選擇上,要求其透光率高、折射率高、熱穩(wěn)定性好、流動性好、易于噴涂。為提高LED封裝的可靠性,還要求灌封膠具有低吸濕性、低應(yīng)力、耐溫環(huán)保等特性。目前常用的灌封膠包括環(huán)氧樹脂和硅膠。其中,硅膠由于具有透光率高(可見光范圍內(nèi)透光率大于99%)、折射率高(1.4~1.5)、熱穩(wěn)定性好(能耐受200℃高溫)、應(yīng)力低(楊氏模量低)、吸濕性低(小于0.2%)等特點,明顯優(yōu)于環(huán)氧樹脂,在大功率LED封裝中得到廣泛應(yīng)用。但硅膠性能受環(huán)境溫度影響較大,從而影響LED光效和光強分布,因此硅膠的制備工藝有待改善。
外光學(xué)設(shè)計是指對出射光束進行會聚、整形,以形成光強均勻分布的光場。主要包括反射聚光杯設(shè)計(一次光學(xué))和整形透鏡設(shè)計(二次光學(xué)),國際資訊,對陣列模塊而言,恒光,還包括芯片陣列的分布等。透鏡常用的形狀有凸透鏡、凹透鏡、球鏡、菲涅爾透鏡、組合式透鏡等,透鏡與大功率LED的裝配方法可采用氣密性封裝和半氣密性封裝。近年來,隨著研究的深入,考慮到封裝后的集成要求,用于光束整形的透鏡采用了微透鏡陣列,微透鏡陣列在光路中可發(fā)揮二維并行的會聚、整形、準(zhǔn)直等作用,具有排列精度高、制作方便可靠、易于與其他平面器件耦合等優(yōu)點,研究表明,采用衍射微透鏡陣列替代普通透鏡或菲涅爾微透鏡,可大大改善光束質(zhì)量,提高出射光強度,是大功率LED用于光束整形最有前途的新技術(shù)。
3、LED封裝結(jié)構(gòu)形式
LED封裝技術(shù)和結(jié)構(gòu)先后擁有了引腳式、功率型封裝、貼片式(SMD)、板上芯片直裝式(COB)四個階段。
(1)引腳式(Lamp)LED封裝
LED腳式封裝采用引線架作各種封裝外型的引腳,是最先研發(fā)成功投放市場的封裝結(jié)構(gòu),品種數(shù)量繁多,技術(shù)成熟度較高,封裝內(nèi)結(jié)構(gòu)與反射層仍在不斷改進。常用3~5mm封裝結(jié)構(gòu),一般用于電流較小(20~30mA),功率較低(小于0.1W)的LED封裝。主要用于儀表顯示或指示,大規(guī)模集成時也可作為顯示屏。其缺點在于封裝熱阻較大(一般高于100K/W),壽命較短。
(2)功率型LED封裝