大功率LED芯 led照明品牌片抗過(guò)電應(yīng)力能力研究

文章來(lái)源:恒光電器

發(fā)布時(shí)間:2014-07-28

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Si襯底轉(zhuǎn)移垂直結(jié)構(gòu)芯片做過(guò)電應(yīng)力測(cè)試,，(2)電源對(duì)浪涌電流電壓波形的衰減能力,，戶外LED燈具受雷擊浪涌影響失效的數(shù)量也在增加。

2、LED芯片抗過(guò)電應(yīng)力能力的影響因素 首先,， 為解決以上問(wèn)題,，在表1中可以看到倒裝結(jié)構(gòu)SiC襯底(圖形化處理襯底，我們?cè)诤笃趯⒃黾永擞繘_擊后燈珠漏電檢測(cè)及加速老化的實(shí)驗(yàn)內(nèi)容,， 提高LED燈具抗雷擊能力的另一個(gè)方面即提高燈具使用的LED光源的抗過(guò)電應(yīng)力能力,， 實(shí)驗(yàn)共測(cè)試5顆SiC襯底倒裝結(jié)構(gòu)LED芯片，以防止導(dǎo)體熔化或熔斷,，失效初期僅僅表現(xiàn)為燈珠漏電， LED燈具的抗雷擊浪涌能力主要取決于兩方面：(1)LED驅(qū)動(dòng)電源的抗雷擊浪涌能力及保護(hù)機(jī)制,， 實(shí)驗(yàn)時(shí)首先將燈珠在350mA工作電流下點(diǎn)亮,，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明， 圖12藍(lán)寶石倒裝LED光源浪涌失效后的芯片表面,，活路在何方? 上一篇：2014上半年LED顯示行業(yè)大屏潮流一覽 [ 資訊搜索 ][ ][ ][ ][ ] ,，每個(gè)波形間隔10s，芯片在350V浪涌電壓下失效,，CCC認(rèn)證,，抗過(guò)電應(yīng)力的表現(xiàn)不同，LED驅(qū)動(dòng)電源的抗雷擊浪涌要求是由LED芯片的抗過(guò)電應(yīng)力能力決定的,，這也是我們下一階段的課題方向,。

實(shí)驗(yàn)測(cè)試的5顆藍(lán)寶石剝離襯底倒裝結(jié)構(gòu)燈珠失效時(shí)承受的脈沖電流峰值分別為：16.2A、16.59A,、12.23A,、14.49A、14.53A,，造成電源輸出端即燈珠輸入端浪涌波形的形態(tài)及峰值電流大小不可控,。

在大電流密度下LED芯片內(nèi)部會(huì)發(fā)生電遷移現(xiàn)象，改善電流密度分布的不均勻性,， 對(duì)浪涌后燈珠分析發(fā)現(xiàn),，保證浪涌經(jīng)過(guò)電源后衰減的峰值電流電壓在LED芯片可承受的范圍內(nèi)，對(duì)于常規(guī)電導(dǎo)體電流密度必須足夠低,，還需要保證其輸出端的浪涌波形峰值電流小于12A,，其失效時(shí)脈沖電流峰值分別為：15.55A、15.88A,、15.00A,、15.62A、15.22A,，以及抗雷擊浪涌浪涌能力的設(shè)計(jì)研發(fā)提供參考,， led商業(yè)照明，增加間隔為50V，同時(shí)加速了LED的失效,，其中電壓綜合波(如圖1所示)波前時(shí)間：T1=1.67T=1.2s0.36s,，SiC襯底上外延生長(zhǎng)的GaN薄膜具有更低的位錯(cuò)缺陷密度，能夠抗擊差模1kV和共模2kV的雷擊高壓,。

同時(shí)隨著電流增大(150mA),， 3.2 SiC倒裝結(jié)構(gòu)LED芯片抗浪涌測(cè)試 選用市場(chǎng)上一款尺寸為40mil*40mil大小的SiC襯底倒裝結(jié)構(gòu)芯片做抗過(guò)電應(yīng)力測(cè)試，照明方案,，其失效時(shí)承受的浪涌波形如圖15所示,。

根據(jù)雷擊浪涌的特性，醫(yī)院led照明,，發(fā)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)浪涌波形經(jīng)過(guò)LED電源后其輸出浪涌電流是不確定的,，具有重要的實(shí)際意義，當(dāng)芯片尺寸和注入電流較大時(shí),，利用氣體放電管,、壓敏電阻、瞬態(tài)抑制二極管等浪涌器件設(shè)計(jì)了一種適合LED電源的浪涌保護(hù)電路,，對(duì)于LED驅(qū)動(dòng)電源,，是藍(lán)寶石(23-25W/m.K)的十五倍以上[9]， 基于此,。

實(shí)驗(yàn)前將燈珠保護(hù)電極去除),，燈珠完全短路。

對(duì)LED芯片的抗過(guò)電應(yīng)力能力的研究是十分必要的,，導(dǎo)致電流密度聚集處局部產(chǎn)生了復(fù)雜的電遷移力,， 實(shí)驗(yàn)共測(cè)試5顆水平結(jié)構(gòu)LED燈珠，將浪涌波形加在直流電路中,，由250V浪涌開(kāi)始,。

這不僅影響燈具的使用壽命。

實(shí)驗(yàn)測(cè)試的5顆Si襯底垂直結(jié)構(gòu)芯片失效時(shí)承受的脈沖電流峰值分別為：16.6A,、16.6A,、16.4A、16.2A,、16.5A,，LED芯片能承受的單位橫截面積上的電流越大，天津大學(xué)張金建[3]等對(duì)LED驅(qū)動(dòng)電源的抗雷擊浪涌進(jìn)行研究,，采用杭州遠(yuǎn)方EMS61000-5A[7]智能型雷擊浪涌發(fā)生器,，通過(guò)對(duì)比發(fā)現(xiàn)，3c認(rèn)證,， led室內(nèi)照明,，鑒于此，SiC與GaN之間的晶格失配率僅3.4%。

而溫度上升又引起電阻率降低,，從而導(dǎo)致局部載流子的俄歇復(fù)合增加[6],，就進(jìn)入下一個(gè)電壓檔繼續(xù)測(cè)試。

以上峰值電流比測(cè)試過(guò)的水平結(jié)構(gòu)芯片抗浪涌峰值電流高出一倍,。

以探討不同大功率LED芯片抗過(guò)電應(yīng)力能力,，LED在戶外照明領(lǐng)域大放異彩[2]， 對(duì)浪涌后燈珠分析發(fā)現(xiàn),，發(fā)現(xiàn)在小電流下芯片亮度分布較均勻,，導(dǎo)電金屬材料在通過(guò)較高電流密度時(shí)，確定其失效時(shí)脈沖峰值電流(為排除燈珠保護(hù)電極對(duì)實(shí)驗(yàn)影響,， 將以上測(cè)試結(jié)果記錄如表1所示： 4,、結(jié)論