國標(biāo)委公布23項(xiàng)LED相關(guān)擬立項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)

文章來源:恒光電器

發(fā)布時(shí)間:2013-11-27

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7月29日,，商業(yè)照明燈具,，國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會決定對2011年第一批擬立項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目公開征求意見。征求意見截止時(shí)間為2011年8月29日,。

　　此次國標(biāo)委公布的2011年第一批擬立項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目中,，包括LED相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)23項(xiàng)，辦公照明,，涉及外延芯片,、封裝及照明應(yīng)用各個(gè)環(huán)節(jié)。一旦這些國標(biāo)順利實(shí)施,，將對規(guī)范半導(dǎo)體照明市場,、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)健康、快速發(fā)展,，起到積極作用,。

表1 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會公布的2011年第一批擬立項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目

項(xiàng)目名稱 完成時(shí)間 主管部門 歸口單位 起草單位 范圍和主要技術(shù)內(nèi)容

Ⅲ族氮化物外延片結(jié)晶質(zhì)量測試方法 2012 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 本標(biāo)準(zhǔn)適用于利用高分辨X射線衍射對III氮化物外延片結(jié)晶質(zhì)量進(jìn)行精準(zhǔn)測量.

Ⅲ族氮化物外延片晶格參數(shù)測試方法 2012 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 本標(biāo)準(zhǔn)適用于利用高分辨X射線衍射對III氮化物外延片晶格常數(shù)進(jìn)行精準(zhǔn)測量.

LED發(fā)光用氮化鎵 2012 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 本規(guī)范規(guī)定了半導(dǎo)體發(fā)光二極管用氮化鎵材外延材料的技術(shù)要求、檢驗(yàn)規(guī)則和檢驗(yàn)方法.完成本研究項(xiàng)目后,我們將提交的技術(shù)文件包括:LED用外延片材料物理性能數(shù)據(jù)庫,；LED用氮化物外延片測試方法,；LED發(fā)光用氮化物材料性能規(guī)范.

LED外延芯片用磷化鎵襯底規(guī)范 2012 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了LED外延芯片用磷化鎵襯底的分類、技術(shù)要求(電阻率,、遷移率、載流子濃度要求,；位錯(cuò)密度要求,；晶向；襯底的幾何形貌及外形尺寸要求等.)檢驗(yàn)規(guī)則,、標(biāo)志,、包裝、運(yùn)輸及貯存.

LED外延芯片用砷化鎵襯底規(guī)范 2012 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,、國瑞,、協(xié)鑫硅材料等 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了LED外延芯片用砷化鎵襯底的分類、技術(shù)要求(電阻率,、遷移率,、載流子濃度要求,；位錯(cuò)密度要求；晶向,；襯底的幾何形貌及外形尺寸要求等.)檢驗(yàn)規(guī)則,、標(biāo)志、包裝,、運(yùn)輸及貯存.

氮化鎵外延片及襯底片 2012 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 上海藍(lán)光科技有限公司,、東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了氮化鎵外延片及襯底的技術(shù)要求、檢驗(yàn)方法,、檢驗(yàn)規(guī)則,、標(biāo)志、包裝運(yùn)輸和貯存等內(nèi)容.本標(biāo)準(zhǔn)適用于采用金屬有機(jī)氣相外延方法得到的的N型氮化鎵外延片和P型氮化鎵外延片及采用氫化物氣相外延得到的氮化鎵襯底片.產(chǎn)品主要用于制作氮化鎵半導(dǎo)體器件,其他類型的氮化鎵外延片可參照執(zhí)行.詳細(xì)內(nèi)容見附件.

氮化物L(fēng)ED外延片內(nèi)量子效率測試方法 2012 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 適用于氮化物半導(dǎo)體LED外延材料的內(nèi)量子效率檢測.  通過測量低溫(10K)和室溫下的PL發(fā)光積分強(qiáng)度確定外延片的內(nèi)量子效率.確定測試的條件要求和設(shè)備系統(tǒng)的技術(shù)要求.

藍(lán)寶石襯底片厚度及厚度變化測試方法 2012 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 協(xié)鑫光電科技(江蘇)有限公司 本標(biāo)準(zhǔn)涉及用于氮化?生長,、半導(dǎo)器件襯底等的高純藍(lán)寶石單晶單面拋光片,明確藍(lán)寶石襯底片的幾何參數(shù)測定方法

藍(lán)寶石單晶襯底拋光片規(guī)范 2012 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 協(xié)鑫光電科技(江蘇)有限公司 本標(biāo)準(zhǔn)涉及用于氮化?生長,、半導(dǎo)器件襯底等的高純藍(lán)寶石單晶單面拋光片,明確2inch、4inch,、6inch藍(lán)寶石襯底片的幾何參數(shù)測定方法,參考面的加工方法,、缺陷判定標(biāo)準(zhǔn)、包裝,、標(biāo)示等

藍(lán)寶石單晶晶錠 2012 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 協(xié)鑫光電科技(江蘇)有限公司 本標(biāo)準(zhǔn)涉及用于氮化?生長,、半導(dǎo)器件襯底等的高純藍(lán)寶石單晶?,明確定?藍(lán)寶石晶?的幾何參數(shù)測定方法,參考面的加工方法、缺陷判定標(biāo)準(zhǔn),、包裝,、標(biāo)示等

藍(lán)寶石晶錠應(yīng)力測試方法 2012 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 協(xié)鑫光電科技(江蘇)有限公司 本標(biāo)準(zhǔn)涉及用于氮化?生長、半導(dǎo)器件襯底等的高純藍(lán)寶石單晶單面拋光片,明確藍(lán)寶石襯底片的幾何參數(shù)測定方法

碳化硅單晶拋光片 2012 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司,、中國科學(xué)院物理研究所 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳化硅單晶拋光片的術(shù)語和定義,、產(chǎn)品分類、技術(shù)要求,、試驗(yàn)方法,、檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝,、運(yùn)輸和貯存等.本標(biāo)準(zhǔn)適用于4H晶型碳化硅和6H晶型碳化硅單晶拋光片,產(chǎn)品規(guī)格為2英寸至4英寸的導(dǎo)電型和半絕緣性碳化硅單晶拋光片.本標(biāo)準(zhǔn)參照SEMI M55.1-0304及國外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn),對碳化硅襯底材料的外形尺寸,、表面幾何參數(shù)、晶面取向,、晶片表面缺陷限度,、微管密度、結(jié)晶質(zhì)量和電阻率等主要技術(shù)指標(biāo)都進(jìn)行了要求,并規(guī)定了各種缺陷的定義及檢測方法,適用于全國從事碳化硅晶片及其相關(guān)行業(yè)的所有企業(yè)和機(jī)構(gòu).

碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法 2012 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司,、中國科學(xué)院物理研究所 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳化硅單晶拋光片的微管和微管密度的定義,、方法提要、一般要求、測試程序,、分析結(jié)果的計(jì)算,、精密度、質(zhì)量保證和控制及檢測報(bào)告等.本標(biāo)準(zhǔn)適用于4H晶型碳化硅和6H晶型碳化硅單晶拋光片,、微管的徑向尺寸在幾微米至幾十微米范圍內(nèi)的微管密度的測量.樣品表面法線方向?yàn)?lt;0001>方向,且其偏離角不應(yīng)大于±8°.該方法使用正交偏光顯微鏡的透射光模式, 利用入射光線在微管周圍處的折射系數(shù)差異來確定微管,從而計(jì)算出相應(yīng)的微管密度.

LED用稀土氮化物紅色熒光粉 2012 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 全國稀土標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 有研稀土新材料股份有限公司 本標(biāo)準(zhǔn)適用于發(fā)光二極管用氮化物紅色熒光粉,可用于顯示,、背光源或一般照明.主要技術(shù)內(nèi)容包括,LED用氮化物紅色熒光粉相關(guān)的名詞術(shù)語及其定義、熒光粉的要求,、試驗(yàn)方法,、檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝,、運(yùn)輸,、貯存等內(nèi)容.

LED用稀土硅酸鹽熒光粉 2012 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 全國稀土標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 大連路明發(fā)光科技股份有限公司 范圍:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉,主要包括發(fā)射綠光、黃光,、橙紅色發(fā)光的各種結(jié)構(gòu)形式的硅酸鹽熒光粉.主要技術(shù)內(nèi)容:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉標(biāo)準(zhǔn)以及相關(guān)檢測試驗(yàn)方法:相對亮度,、激發(fā)發(fā)射光譜性能、色品坐標(biāo)等.