韓研究人員薄化LED襯底 有效提升綠光LED光效

文章來(lái)源:恒光電器

發(fā)布時(shí)間:2014-01-09

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 韓國(guó)與埃及研究人員采用晶圓薄化技術(shù)以提升氮化物半導(dǎo)體綠光LED的效率,。參與組織包括韓國(guó)全南國(guó)立大學(xué)、埃及貝尼蘇韋夫大學(xué)以及韓國(guó)光子技術(shù)研究院,。

薄化的功效是為了減少氮化物半導(dǎo)體架構(gòu)中的殘余壓應(yīng)力(residual compressive stress),，星級(jí)酒店照明燈具，行業(yè)資訊,，這種應(yīng)力在LED架構(gòu)中對(duì)降低的壓電電場(chǎng)有撞擊效應(yīng),。氮化鎵和藍(lán)寶石之間不同的熱膨脹系數(shù)制成的應(yīng)力器件， led服裝照明,，在外延生長(zhǎng)工藝?yán)鋮s后會(huì)造成壓應(yīng)力的產(chǎn)生,。

這種電場(chǎng)效應(yīng)將降低電子和空穴復(fù)合以產(chǎn)生光子的可能性,。這種問(wèn)題在高銦成分(超過(guò)20%)的氮化銦鎵(InGaN)合金中更為嚴(yán)重，而這種合金又是綠光LED所需的,。目前藍(lán)光InGaN LED的效率為50%,，而較高銦含量的綠光LED的效率通常低于10%。

這種LED架構(gòu)采用MOCVD在2英寸的C面藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)的,。該襯底厚度為430μm,，并采用傳統(tǒng)工藝整合到240μm x 600μm的LED芯片中。

LED外延架構(gòu)

這種襯底薄化技術(shù)通過(guò)采用研磨和軟質(zhì)拋光實(shí)現(xiàn)的,。這些工藝被用于最小化薄化過(guò)程中的損壞,。在薄化后，3c認(rèn)證,，芯片切割成單個(gè),，n型GaN接觸層的晶圓翹曲與殘余應(yīng)力測(cè)量顯示，當(dāng)晶圓薄化至200μm和80μm之間時(shí),，翹曲增加,，高質(zhì)量，應(yīng)力減少,。

20mA注入電流的電致發(fā)光光譜顯示,，隨著襯底變薄其電流密度在增加。同時(shí),， 200μm和80μm厚度襯底的峰值位置分別從520.1nm (2.38eV)漂移至515.7nm (2.40eV),。研究人員解釋道：“這些發(fā)現(xiàn)清晰地表明了晶圓翹曲所帶來(lái)的機(jī)械應(yīng)力會(huì)改變InGaN/GaN MQW有源區(qū)的壓電電場(chǎng)，并可修正能帶值,。但,，工程照明，藍(lán)光峰值波長(zhǎng)和能量的漂移要?dú)w因于帶隙的提升,，帶隙的提升是因?yàn)?InGaN/GaN MQW的壓電電場(chǎng)減少。”

襯底薄化也提升了內(nèi)量子效率(IQE)和光輸出功率,，LED照明企業(yè),，超市照明，但不會(huì)降低電流與電壓行為,。20mA時(shí),，襯底厚度從200μm到80μm，LED照明企業(yè),，光輸出功率從7.8mW 增至11.5mW,。這再一次證明可以降低壓電電場(chǎng)提升性能。20mA情況下,，不同襯底厚度 (200μm, 170μm, 140μm, 110μm, 80μm)的前向電壓幾乎恒定在3.4V,。

通用的襯底厚度情況下,，口碑，其峰值外量子效率(EQE)從16.3%增加到24%,。研究人員將他們的綠光LED的EQE性能與目前最好的半極自支撐GaN襯底數(shù)據(jù)相比較：20.4%在(20-21)方向,，18.9%在(11-22)方向。采用半極襯底是 另一種降低GaN LED壓電電場(chǎng)的方式,。但是這種襯底非常昂貴,。

研究人員采用了韓國(guó)EtaMax (DOSA-IQE)公司的室溫IQE測(cè)量系統(tǒng)，節(jié)能與環(huán)保,，在至少10mA注入電流時(shí),，技術(shù)資訊，80μm襯底厚度的最大IQE為92% ,，車間照明,，20mA時(shí)，照明資質(zhì),，隨著襯底厚度從200μm降至80μm,，IQE從58.2% 提升至68.9%。

通過(guò)對(duì)比EQE和IQE,，研究人員確定較薄襯底的光萃取效率更高,。光萃取率的提升歸因于藍(lán)寶石襯底吸收的光子減少了，同時(shí)光從器件的藍(lán)寶石邊際逃逸能力提升了,。

最后,， led亮化工程，采用相同襯底薄化技術(shù)的光電轉(zhuǎn)換效率(WPE)從11.5%提升到17.1%,。