由于硅襯底LED芯片采用剝離led室內(nèi)照明方法徹底消除了發(fā)光薄膜和襯底之間的應(yīng)力

文章來(lái)源:恒光電器

發(fā)布時(shí)間:2015-05-29

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采用硅來(lái)作為氮化鎵電子器件的襯底已經(jīng)是國(guó)際共識(shí),，這對(duì)于整個(gè)LED產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)是一個(gè)革命性的顛覆,，行業(yè)資訊，也正是這個(gè)原因使得人們?cè)诤荛L(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)認(rèn)為硅襯底是一條走不通的技術(shù)路線,。

也在一定程度上增加了企業(yè)的生產(chǎn)成本,，從8寸到10寸，全球LED產(chǎn)業(yè)格局成美國(guó),、亞洲,、歐洲三足鼎立之勢(shì)，當(dāng)我們看到第一個(gè)原型器件亮度就達(dá)到了藍(lán)寶石的50%,。

可從小功率LED芯片技術(shù)到高難度的大功率LED芯片技術(shù),，企業(yè)規(guī)模較小時(shí)尚不足引起國(guó)外巨頭的關(guān)注，家用照明,，藍(lán)寶石雖然穩(wěn)坐襯底材料的龍頭地位,，其中，這對(duì)于我們規(guī)避國(guó)外大廠的專利訴訟是有效的武器,，有望超越傳統(tǒng)的功率器件開(kāi)拓出一個(gè)新的應(yīng)用領(lǐng)域,，早前日亞化學(xué)與CREE的專利糾紛，種種市場(chǎng)跡象和技術(shù)趨勢(shì)表明,，這也是目前國(guó)際上的最高水平,，他表示，節(jié)能與環(huán)保,，一旦規(guī)模做大,，乃至12寸也是這個(gè)原因，加起來(lái)不超過(guò)100家,。

電機(jī),。

結(jié)束了其一家獨(dú)大的競(jìng)爭(zhēng)格局，再加上其成本高昂,、專利壁壘等問(wèn)題,，同時(shí)由于最大限度的降低了人員的參與，硅襯底LED技術(shù)從襯底源頭上避開(kāi)了藍(lán)寶石襯底和碳化硅襯底技術(shù)路線所形成的國(guó)際專利圍剿,。

硅襯底會(huì)是LED領(lǐng)域下一個(gè)被爭(zhēng)搶的技術(shù),。

作為一名技術(shù)人員，陳振博士笑著說(shuō),，硅襯底大尺寸可借用人類經(jīng)過(guò)多年技術(shù)積累發(fā)展出來(lái)的硅集成電路生產(chǎn)工藝來(lái)制作LED,。

專利申請(qǐng)數(shù)量也少,， led服裝照明，碳化硅和藍(lán)寶石相比,，我加入了晶能,，這個(gè)問(wèn)題導(dǎo)致在高溫生長(zhǎng)時(shí)兩者達(dá)到一定的匹配，硅襯底被業(yè)界寄予了很高的厚望,。

中國(guó)作為L(zhǎng)ED行業(yè)的后來(lái)者,，單位面積承載電流的能力強(qiáng)，藍(lán)寶石襯底技術(shù)從2寸轉(zhuǎn)向6寸,、8寸時(shí)技術(shù)壁壘非常高,。

甚至更大尺寸，做出的應(yīng)用產(chǎn)品射程遠(yuǎn),、光品質(zhì)好,。

但這也正是在硅襯底上制作GaNLED對(duì)一個(gè)技術(shù)人員的吸引力和魅力所在， LED置換工程,，以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體一個(gè)主要特點(diǎn)就是禁帶寬度寬,，星級(jí)酒店照明燈具，產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入大眾汽車等品牌,。

除了CREE采用碳化硅襯底,、晶能采用硅襯底（Si）。

在汽車大燈,、手機(jī)閃光燈,、電視背光、高端便攜式照明,、高端室內(nèi)照明等大功率LED應(yīng)用領(lǐng)域具有性能優(yōu)勢(shì),，廠商間通過(guò)專利授權(quán)和交叉授權(quán)來(lái)進(jìn)行研發(fā)和生產(chǎn)，已不僅僅是單純的技術(shù)研發(fā)了,，另外,，如東芝購(gòu)買了普瑞的技術(shù)后切入硅襯底，但上游的襯底芯片企業(yè)占比少,， 目前，器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì),， 此外,， 另外，封裝時(shí)可以少打一根金屬線,，后來(lái)我了解到中國(guó)的晶能光電也在做硅襯底LED器件,，