制作大功率LED芯片的技術(shù)要點

文章來源:恒光電器

發(fā)布時間:2014-07-26

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 ①增加發(fā)光的大小,。單一的LED發(fā)光區(qū)域和有效地增加流動的電流量，道路照明,，通過均勻分布層TCL,，以達到預期的磁通。但是,，簡單地增大發(fā)光面積不解決這個問題,，散熱問題，不能達到預期的效果和實際應用中的磁通量,。

　�,、诠璧装宓寡b法。共晶焊料,，醫(yī)院led照明，首先,，CCC認證,，準備一個大的LED面板燈芯片，并準備一個合適的尺寸,，在硅襯底和硅襯底,，使用金的共晶釬料層和導電層導體(超聲波金絲球窩接頭)，以及使用所述移動設備的被焊接在一起共晶焊料的LED芯片和大尺寸的硅襯底,。這樣的結(jié)構(gòu)更加合理,，LED筒燈，不僅要考慮這個問題,，考慮到光與熱的問題,，這是主流的大功率LED生產(chǎn)。 Lumileds公司,，美國在2001年開發(fā)出了不同的倒裝芯片的電源的AlGaInN(FCLED)結(jié)構(gòu),，制造過程：第一P型氮化鎵外延膜沉積在頂部的層厚度超過500A,，并返回的反射Niau的歐姆接觸，然后選擇性地蝕刻,，使用掩模,，國內(nèi)資訊，在P型層和多量子阱有源層,，露出N型層淀積,，蝕刻后形成的N型歐姆接觸層1的1mm×1mm的一側(cè)的P型歐姆接觸，N型歐姆接觸以梳狀插入其中,，廠房照明,，芯片尺寸，CE認證,，辦公照明,，從而使當前的擴展距離可以縮短，以盡量減少支持和銦鎵鋁氮化物擴散阻力的ESD保護二極管(ESD)的硅芯片安裝顛倒焊錫凸塊,。

　�,、厶沾砂宓寡b法。通用裝置的晶體結(jié)構(gòu)的LED面板燈芯片的LED芯片的下一個大的,，在陶瓷板和陶瓷基板的共晶釬料層和導電層,，在該區(qū)域產(chǎn)生的相應的引線，焊接電極中使用水晶LED芯片和大規(guī)格陶瓷薄板焊接的焊接設備,。這樣的結(jié)構(gòu)是需要考慮的問題,， led服裝照明，也是需要考慮的問題,，光,，熱，行業(yè)資訊,，使用高導熱陶瓷板,，陶瓷板，散熱效果非常好,，價格也比較低,，更適合為當前的基本包裝材料和空間保留給將來的集成電路一體化。

　�,、芩{寶石襯底過渡方法,。在藍寶石襯底除去后的PN結(jié)的制造商，LED照明品牌,，在藍寶石襯底上生長InGaN芯片,，然后再連接的傳統(tǒng)的四元材料，制造大型結(jié)構(gòu)的藍色LED芯片的下部電極上,，通過常規(guī)的方法,。

　�,、軦lGaInN的碳化硅(SiC)背面光的方法。美國cree公司是世界上唯一的碳化硅基板的AlGaInN超高亮度LED制造商,， led室內(nèi)照明,，多年來生產(chǎn)的AlGaInN / SICA芯片的架構(gòu)不斷完善和增加亮度。由于在P型和N型電極分別位于該芯片的頂部和底部,，技術(shù)資訊,，使用一個單一的引線鍵合，較好的相容性,，易用性,，因而成為主流產(chǎn)品的發(fā)展AlGaInNLED另一個。